熱門關(guān)鍵詞：延遲線、光開關(guān)、光衰減器、光纖激光器、光源、光纖放大器、光探測器、WDM準(zhǔn)直器、光隔離器、環(huán)形器（三端口、四端口）、偏振分束器/合束器、起偏器、耦合器、單纖/雙纖準(zhǔn)直器、激光準(zhǔn)直器、光纖反射鏡、光纖旋轉(zhuǎn)器、偏振控制器（三環(huán)、擠壓式）、光柵、波分復(fù)用器（CWDM/DWDM）等

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高速SOI光電探測器芯片

簡要描述：高速SOI光電探測器芯片，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

產(chǎn)品型號：ZG
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時間：2024-07-29
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硅基芯片

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SOI芯片光電探測器陣列

SOI芯片式光電探測器陣列，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

〖性能指標(biāo)Specifications〗

參數(shù)指標(biāo) Parameters	單位 Unit	最小值 Min.	典型值 Typ.	最大值 Max.	備注 Notes
波長范圍 Wavelength range	nm	1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
暗電流 Dark current	nA	35		50
3 dB模擬帶寬 3 dB bandwidth	GHz			28
光飽和功率 Optical saturation power	mW	10
響應(yīng)度 Responsibility	A/W	0.8		0.85
90度光學(xué)混頻器損耗 90°mixer loss	dB	6	6.5	6.7
90度光學(xué)混頻器相位失衡度 90°mixer phase unbalance	°	5
通道數(shù) Number of channels		8或可定制 8 or Can be customized
光纖接入損耗 Insertion loss	dB	≤0.5
偏振相關(guān)損耗 PDL	dB	≤0.3
工作溫度范圍 Operating temperature range	°C	-20		50
工作濕度范圍 Operating humidity range	%			+65
芯片尺寸 Chip Dimensions	mm	4(L)×5(W)×0.5(H)